Все полупроводниковые материалы делятся на простые полупроводники (ПП) или элементы, полупроводниковые химические соединения и полупроводниковые комплексы. В последнее время также изучаются стеклообразные и жидкие полупроводники. Простых ПП существует околодесяти. В современной технике особое значение приобрели кремний (Si), германий (Ge) и, частично, селен (Se).
| Материалы | Атомный № | D W, эВ | Подвижн. электронов, см2/В* с | Подвижн. дырок, см2/В* с |
| Ge | 32 | 0.67 | 3900 | 1900 |
| Si | 14 | 1.12 | 1400 | 500 |
| Se | 34 | 1.79 | — | 0.2* 10-4 |
Полупроводниковыми химическими соединениями являются соединения элементов различных групп таблицы Менделеева, соответствующие общим формулам АIIВVI (CdS, ZnSe), АIIIВV(InSb, GaAs, GaP ), АIVВVI (PbS, PbSe, PbTe), также некоторые оксиды и вещества сложного состава.
AIII BV
| Материалы | D W, эВ | Подвижн. электронов, см2/В* с | Подвижн. дырок, см2/В* с |
| GaSb | 0.7 | 5000 | 800 |
| InSb | 0.18 | 80000 | 1000 |
| GaAs | 1.4 | 8500 | 400 |
| InAs | 0.35 | 30000 | 500 |
AII BVI
| Материалы | D W, эВ | Подвижн. электронов ,с см2/В* с | Подвижн. дырок, см2/В* с |
| ZnS | 3.74 | 140 | 5 |
| CdS | 2.53 | 340 | 110 |
| HgS | 1.78 | 700 | — |
| ZnSe | 2.73 | 260 | 15 |
AIVBVI
| Материалы | D W, эВ | Подвижн. электронов, см2/В* с | Подвижн. дырок, См2/В* с |
| PbS | 0.39 | 600 | 700 |
| CdS | 0.27 | 1200 | 1000 |
| HgS | 0.32 | 1800 | 900 |
К полупроводниковым комплексам можно отнести вещества с полупроводящей или проводящей фазой и карбида кремния, графита, сцепленных керамической или другой связкой. Наиболее распространенными из них являются тирит, силит и др. c шириной запрещенной зоны 0.75 ч 1.35 эВ.